站长资讯网据 BusinessKorea 的报道，三星已经设定了目标，即在今年 6 月前完成 11 纳米的第六代 1c DRAM 芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12 纳米芯片。
此前有消息称，三星已经中断了 12-13nm 工艺级别内存研发，表示三星 13nm 级别的内存被间接承认失败。
报道称，三星希望扩大与竞争对手的技术差距，这些竞争对手包括 SK 海力士和美光科技。此外，这并不是三星第一次放弃 DRAM 的某些开发阶段而向更高层次发展。此前，三星放弃了 28 纳米 DRAM 的大规模生产，专注于生产 25 纳米 DRAM。
业内专家认为，对三星来说，生产 11 纳米 DRAM 并不是一件容易的事，因为这需要先进的技术。然而，据 BusinessKorea 报道，三星希望找到一种方法，该公司在 1c DRAM 完成之前面临着巨大的开发压力，因为其在 1a DRAM 的量产方面落后于其两个竞争对手。
内存工艺在 20nm 节点之后就有不同断代方法，之前用的是 1x、1y、1z，后来又有了 1a、1b、1c 工艺，不过三星、SK 海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字 + nm 命名。
特别提醒：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。