站长资讯网6月18日消息 据sammobile报道，三星目前已经成立了一个特别工作组，以提高其闪存的产量。
继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。
据了解，NAND 闪存芯片中的层数越高，存储容量就越高。目前，内存芯片使用的层数最高为128层，但三星有望在不久后完成160层或更高芯片的开发和生产。
三星电子在全球存储市场内是当之无愧的第一大厂商。为了提高在128层V-NAND芯片生产中的竞争力，三星成立了一个特别工作组，成员包括三星设备解决方案(SDS)制造技术中心以及负责NAND闪存生产的部门的高管。新团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题，并负责监督提高整个流程的生产率。
Sammobile称，三星在赢得了128层NAND的市场竞争后并没有满足，该公司希望进一步提高差距，待到英特尔和长江存储的产量和质量赶上时，其可以转向160层技术。
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